锂电保护应用原理

锂电保护应用原理图

①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。

②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。

③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。

④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与0.1uF电容组成的RC滤波网络，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据最新版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。

⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和0.1uF、500Ω+1uF、1K+1uF等，最大采用1K+1uF。

⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个0.1uF电容，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。

⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。